SemiceraSiC konzolna lopaticadizajniran je da zadovolji zahtjeve moderne proizvodnje poluvodiča. Ovowafer paddlenudi odličnu mehaničku čvrstoću i termičku otpornost, što je ključno za rukovanje pločicama u okruženjima s visokim temperaturama.
SiC konzolni dizajn omogućava precizno postavljanje pločice, smanjujući rizik od oštećenja tokom rukovanja. Njegova visoka toplotna provodljivost osigurava da pločica ostane stabilna čak i u ekstremnim uslovima, što je ključno za održavanje efikasnosti proizvodnje.
Pored svojih strukturalnih prednosti, Semicera'sSiC konzolna lopaticatakođer nudi prednosti u težini i izdržljivosti. Lagana konstrukcija olakšava rukovanje i integraciju u postojeće sisteme, dok SiC materijal visoke gustine osigurava dugotrajnu izdržljivost u zahtjevnim uvjetima.
| Fizička svojstva rekristaliziranog silicijum karbida | |
| Nekretnina | Tipična vrijednost |
| Radna temperatura (°C) | 1600°C (sa kiseonikom), 1700°C (reducirajuća sredina) |
| Sadržaj SiC | > 99,96% |
| Besplatan Si sadržaj | < 0,1% |
| Nasipna gustina | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Prividna poroznost | < 16% |
| Snaga kompresije | > 600 MPa |
| Čvrstoća na hladno savijanje | 80-90 MPa (20°C) |
| Čvrstoća na toplo savijanje | 90-100 MPa (1400°C) |
| Toplotna ekspanzija @1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Toplotna provodljivost @1200°C | 23 W/m•K |
| Modul elastičnosti | 240 GPa |
| Otpornost na toplotni udar | Izuzetno dobro |
