Prilagođeni poluvodički čamac od silicijum karbida

Kratki opis:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. je vodeći dobavljač specijaliziran za wafer i napredne poluvodičke potrošne materijale.Posvećeni smo pružanju visokokvalitetnih, pouzdanih i inovativnih proizvoda za proizvodnju poluprovodnika,fotonaponska industrijai druge srodne oblasti.

Naša linija proizvoda uključuje SiC/TaC obložene grafitne proizvode i keramičke proizvode, koji obuhvataju različite materijale kao što su silicijum karbid, silicijum nitrid, aluminijum oksid itd.

Kao dobavljač od povjerenja, razumijemo važnost potrošnog materijala u proizvodnom procesu i posvećeni smo isporuci proizvoda koji zadovoljavaju najviše standarde kvaliteta kako bismo zadovoljili potrebe naših kupaca.

Pošaljite nam email

Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

Silicijum karbid je nova vrsta keramike sa visokim performansama i odličnim svojstvima materijala.Zbog karakteristika kao što su visoka čvrstoća i tvrdoća, otpornost na visoke temperature, velika toplotna provodljivost i otpornost na hemijsku koroziju, silicijum karbid može skoro da izdrži sve hemijske medije.Stoga se SiC naširoko koristi u rudarstvu nafte, kemiji, mašinama i zračnom prostoru, čak i nuklearna energija i vojska imaju svoje posebne zahtjeve za SIC.Neke uobičajene primjene koje možemo ponuditi su brtveni prstenovi za pumpu, ventil i zaštitni oklop itd.

U mogućnosti smo dizajnirati i proizvesti prema vašim specifičnim dimenzijama uz dobar kvalitet i razumno vrijeme isporuke.

Aprednosti:

Otpornost na oksidaciju na visokim temperaturama

Odlična otpornost na koroziju

Dobra otpornost na abraziju

Visok koeficijent toplotne provodljivosti
Samopodmazivanje, male gustine
Visoka tvrdoća
Prilagođeni dizajn.

Prijave:

-Polje otporno na habanje: čaura, ploča, mlaznica za pjeskarenje, ciklonska obloga, cijev za mljevenje, itd...

-Polje visoke temperature: siC ploča, cijev peći za gašenje, cijev za zračenje, lonac, grijaći element, valjak, greda, izmjenjivač topline, cijev za hladni zrak, mlaznica gorionika, zaštitna cijev termoelementa, SiC čamac, struktura peći, seter itd.

-Vojno polje otporno na metke

-Silicon Carbide Semiconductor: SiC čamac za pločice, sic stezna glava, sic lopatica, sic kaseta, sic difuzijska cijev, viljuška za pločice, usisna ploča, vodilica, itd.

- Polje zaptivki od silicijum karbida: sve vrste zaptivnih prstenova, ležajeva, čaura itd.

-Fotonaponsko polje: konzolna lopatica, cijev za mljevenje, valjak od silicijum karbida itd.

-Polje litijumske baterije

Tehnički parametri:

Podaci o materijalu

材料Materijal	R-SiC
使用温度Radna temperatura (°C)	1600°C (氧化气氛Oksidirajuća sredina) 1700°C (还原气氛Smanjenje životne sredine)
SiC含量Sadržaj SiC (%)	> 99
自由Si含量Sadržaj besplatnog Si (%)	< 0.1
体积密度Zapreminska gustina (g/cm3)	2.60-2.70
气孔率Prividna poroznost (%)	< 16
抗压强度Snaga drobljenja (MPa)	> 600
常温抗弯强度Čvrstoća na hladno savijanje (MPa)	80-90 (20°C)
高温抗弯强度Čvrstoća na toplo savijanje (MPa)	90-100 (1400°C)
热膨胀系数 Koeficijent toplinske ekspanzije @1500°C (10-6/°C)	4.70
导热系数Toplotna provodljivost @1200°C (W/m•K)	23
杨氏模量Modul elastičnosti (GPa)	240
抗热震性Otpornost na toplotni udar	很好Izuzetno dobro