Robotska ruka od silicijum karbida otporna na visoke temperature

Otpornost na visoke temperature Robotska ruka od silicijum karbida Istaknuta slika

Kratki opis:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. je vodeći dobavljač specijaliziran za wafer i napredne poluvodičke potrošne materijale.Posvećeni smo pružanju visokokvalitetnih, pouzdanih i inovativnih proizvoda za proizvodnju poluprovodnika,fotonaponska industrijai druge srodne oblasti.

Naša linija proizvoda uključuje SiC/TaC obložene grafitne proizvode i keramičke proizvode, koji obuhvataju različite materijale kao što su silicijum karbid, silicijum nitrid, aluminijum oksid itd.

Kao dobavljač od povjerenja, razumijemo važnost potrošnog materijala u proizvodnom procesu i posvećeni smo isporuci proizvoda koji zadovoljavaju najviše standarde kvaliteta kako bismo zadovoljili potrebe naših kupaca.

Pošaljite nam email

Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

Silicijum karbid je nova vrsta keramike sa visokim performansama i odličnim svojstvima materijala.Zbog karakteristika kao što su visoka čvrstoća i tvrdoća, otpornost na visoke temperature, velika toplotna provodljivost i otpornost na hemijsku koroziju, silicijum karbid može skoro da izdrži sve hemijske medije.Stoga se SiC naširoko koristi u rudarstvu nafte, kemiji, mašinama i zračnom prostoru, čak i nuklearna energija i vojska imaju svoje posebne zahtjeve za SIC.Neke uobičajene primjene koje možemo ponuditi su brtveni prstenovi za pumpu, ventil i zaštitni oklop itd.

U mogućnosti smo dizajnirati i proizvesti prema vašim specifičnim dimenzijama uz dobar kvalitet i razumno vrijeme isporuke.

Karakteristike i prednosti

1. Precizne dimenzije i termička stabilnost

2. Visoka specifična krutost i odlična termička uniformnost, dugotrajna upotreba nije lako savijati deformaciju;

3. Ima glatku površinu i dobru otpornost na habanje, tako da bezbedno rukuje čipom bez kontaminacije česticama.

4. Otpornost silicijum karbida u 106-108Ω, nemagnetna, u skladu sa zahtevima anti-ESD specifikacije;Može spriječiti nakupljanje statičkog elektriciteta na površini čipa

5.Dobra toplotna provodljivost, nizak koeficijent ekspanzije.