Uvod u prevlaku od silicijum karbida
Naš premaz od silicijum karbida (SiC) za hemijsko taloženje pare (CVD) je visoko izdržljiv sloj otporan na habanje, idealan za okruženja koja zahtevaju visoku otpornost na koroziju i toplotu.Prevlaka od silicijum karbidananosi se u tankim slojevima na različite podloge kroz CVD proces, nudeći vrhunske karakteristike performansi.
Ključne karakteristike
● -Izuzetna čistoća: Ima ultra čistu kompoziciju99,99995%, našSiC premazminimizira rizik od kontaminacije u osjetljivim poluvodičkim operacijama.
● -Superiorna otpornost: Pokazuje odličnu otpornost na habanje i koroziju, što ga čini savršenim za izazovne kemijske i plazma postavke.
● -Visoka toplotna provodljivost: Osigurava pouzdan rad pri ekstremnim temperaturama zbog svojih izvanrednih termičkih svojstava.
● -Dimenziona stabilnost: Održava strukturalni integritet u širokom rasponu temperatura, zahvaljujući niskom koeficijentu toplinskog širenja.
● -Poboljšana tvrdoća: Sa ocjenom tvrdoće od40 GPa, naš SiC premaz izdržava značajan udar i abraziju.
● -Završna obrada glatke površine: Pruža završnu obradu poput ogledala, smanjujući stvaranje čestica i povećavajući operativnu efikasnost.
Prijave
Semicera SiC premazise koriste u različitim fazama proizvodnje poluprovodnika, uključujući:
● -Izrada LED čipova
● -Proizvodnja polisilicijuma
● -Rast poluvodičkih kristala
● -Silicijum i SiC epitaksija
● -Termička oksidacija i difuzija (TO&D)
Isporučujemo komponente presvučene SiC-om izrađene od izostatičkog grafita visoke čvrstoće, ugljika ojačanog karbonskim vlaknima i 4N rekristaliziranog silicijum karbida, prilagođene za reaktore s fluidiziranim slojem,STC-TCS pretvarači, CZ jedinični reflektori, SiC wafer brod, SiCwafer lopatica, SiC wafer cijev i nosači pločica koji se koriste u PECVD, silicijumskoj epitaksiji, MOCVD procesima.
Prednosti
● -Produženi životni vek: Značajno smanjuje zastoje opreme i troškove održavanja, poboljšavajući ukupnu efikasnost proizvodnje.
● -Poboljšan kvalitet: Postiže površine visoke čistoće neophodne za obradu poluprovodnika, čime se povećava kvalitet proizvoda.
● -Povećana efikasnost: Optimizira termičke i CVD procese, što rezultira kraćim ciklusom i većim prinosima.
Tehničke specifikacije
● -Struktura: FCC β faza polikristalna, uglavnom (111) orijentisana
● -Gustoća: 3,21 g/cm³
● -Tvrdoća: 2500 Vickes tvrdoća (500g opterećenje)
● - Čvrstoća na lom: 3,0 MPa·m1/2
● -Koeficijent toplinske ekspanzije (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Modul elastičnosti(1300℃):435 GPa
● -Tipična debljina filma:100 µm
● -Hrapavost površine:2-10 µm
Podaci o čistoći (mjereno masenom spektroskopijom usijanog pražnjenja)
| Element | ppm | Element | ppm |
| Li | < 0,001 | Cu | < 0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | < 0,05 |
| Al | < 0.04 | Ga | < 0,01 |
| P | < 0,01 | Ge | < 0,05 |
| S | < 0.04 | As | < 0,005 |
| K | < 0,05 | In | < 0,01 |
| Ca | < 0,05 | Sn | < 0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | < 0,01 |
| V | < 0,001 | W | < 0,05 |
| Cr | < 0,05 | Te | < 0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | < 0,01 |
| Fe | < 0,05 | Bi | < 0,05 |
| Ni | < 0,01 |
|
