Semicera obezbeđuje specijalizovane premaze od tantal karbida (TaC) za različite komponente i nosače.Semicera vodeći proces premazivanja omogućava premazima od tantal karbida (TaC) da postignu visoku čistoću, visoku temperaturnu stabilnost i visoku hemijsku toleranciju, poboljšavajući kvalitet proizvoda SIC/GAN kristala i EPI slojeva (TaC susceptor obložen grafitom) i produži život ključnih komponenti reaktora. Upotreba TaC premaza od tantal karbida je rješavanje problema ivica i poboljšanje kvalitete rasta kristala, a Semicera je proboj riješila tehnologiju premaza tantal karbida (CVD), dostigavši međunarodni napredni nivo.
Sa pojavom 8-inčnih pločica od silicijum karbida (SiC), zahtevi za različite poluprovodničke procese postali su sve stroži, posebno za procese epitaksije gde temperature mogu da pređu 2000 stepeni Celzijusa. Tradicionalni materijali susceptora, kao što je grafit presvučen silicijum karbidom, imaju tendenciju da sublimiraju na ovim visokim temperaturama, ometajući proces epitaksije. Međutim, CVD tantal karbid (TaC) efikasno rješava ovaj problem, izdržavajući temperature do 2300 stepeni Celzijusa i nudi duži vijek trajanja. Kontakt Semicera's CVD gornji polumjesec presvučen tantal karbidomda istražite više o našim naprednim rješenjima.
Nakon godina razvoja, Semicera je osvojila tehnologijuCVD TaCzajedničkim naporima odjela za istraživanje i razvoj. Lako se javljaju defekti u procesu rasta SiC pločica, ali nakon upotrebeTaC, razlika je značajna. Ispod je poređenje vafla sa i bez TaC, kao i Simicerinih dijelova za rast monokristala.
sa i bez TaC
Nakon upotrebe TaC-a (desno)
Štaviše, SemiceraProizvodi obloženi TaC-ompokazuju duži vijek trajanja i veću otpornost na visoke temperature u odnosu naSiC premazi.Laboratorijska mjerenja su pokazala da našaTaC premazimože konzistentno raditi na temperaturama do 2300 stepeni Celzijusa tokom dužeg perioda. U nastavku su neki primjeri naših uzoraka:
Susceptor obložen TaC
Grafit sa reaktorom obloženim TaC
