-
Proces proizvodnje poluvodiča – Etch Technology
Stotine procesa su potrebne da bi se pločica pretvorila u poluvodič. Jedan od najvažnijih procesa je jetkanje - to jest, urezivanje finih uzoraka kola na pločici. Uspjeh procesa jetkanja ovisi o upravljanju različitim varijablama unutar zadanog raspona distribucije, a svaki graviranje...Pročitajte više -
Idealan materijal za fokusne prstenove u opremi za plazma graviranje: silicijum karbid (SiC)
U opremi za plazma jetkanje, keramičke komponente igraju ključnu ulogu, uključujući fokusni prsten. Fokusni prsten, postavljen oko pločice i u direktnom kontaktu s njom, je bitan za fokusiranje plazme na pločicu primjenom napona na prsten. Ovo poboljšava un...Pročitajte više -
Front End of Line (FEOL): Postavljanje temelja
Prednji kraj proizvodne linije je poput postavljanja temelja i izgradnje zidova kuće. U proizvodnji poluvodiča, ova faza uključuje kreiranje osnovnih struktura i tranzistora na silikonskoj pločici. Ključni koraci FEOL-a: ...Pročitajte više -
Utjecaj obrade monokristalnog silicijum karbida na kvalitet površine pločice
Poluprovodnički energetski uređaji zauzimaju ključnu poziciju u energetskim elektronskim sistemima, posebno u kontekstu brzog razvoja tehnologija kao što su umjetna inteligencija, 5G komunikacije i vozila nove energije, zahtjevi za performansama za njih su bili ...Pročitajte više -
Ključni materijal jezgre za rast SiC: premaz od tantal karbida
Trenutno, trećom generacijom poluprovodnika dominira silicijum karbid. U strukturi troškova njegovih uređaja supstrat čini 47%, a epitaksija 23%. Ova dva zajedno čine oko 70%, što je najvažniji deo proizvodnje uređaja od silicijum karbida...Pročitajte više -
Kako proizvodi obloženi tantal karbidom povećavaju otpornost materijala na koroziju?
Tantal karbid premaz je uobičajena tehnologija površinske obrade koja može značajno poboljšati otpornost materijala na koroziju. Tantal karbidni premaz se može pričvrstiti na površinu podloge različitim metodama pripreme, kao što su hemijsko taloženje pare, fizička...Pročitajte više -
Jučer je Odbor za inovacije u nauci i tehnologiji objavio da je Huazhuo Precision Technology prekinula IPO!
Upravo je najavljena isporuka prve 8-inčne SIC opreme za lasersko žarenje u Kini, koja je također Tsinghua tehnologija; Zašto su sami povukli materijale? Samo nekoliko riječi: Prvo, proizvodi su previše raznoliki! Na prvi pogled ne znam čime se bave. Trenutno, H...Pročitajte više -
CVD premaz od silicijum karbida-2
CVD prevlaka od silicijum karbida 1. Zašto postoji prevlaka od silicijum karbida Epitaksijalni sloj je specifičan monokristalni tanki film koji se uzgaja na bazi pločice kroz epitaksijalni proces. Podloga i epitaksijalni tanki film zajednički se nazivaju epitaksijalne pločice. Među njima, ...Pročitajte više -
Proces pripreme SIC premaza
Trenutno, metode pripreme SiC prevlake uglavnom uključuju metodu gel-sol, metodu ugradnje, metodu premazanja četkom, metodu raspršivanja plazmom, metodu hemijske reakcije pare (CVR) i metodu hemijskog taloženja pare (CVD). Metoda ugradnjeOva metoda je vrsta visokotemperaturne čvrste faze ...Pročitajte više -
CVD premaz od silicijum karbida-1
Šta je CVD SiC Hemijsko taloženje parom (CVD) je proces vakuumskog taloženja koji se koristi za proizvodnju čvrstih materijala visoke čistoće. Ovaj proces se često koristi u oblasti proizvodnje poluvodiča za formiranje tankih filmova na površini pločica. U procesu pripreme SiC CVD-om, supstrat se eks...Pročitajte više -
Analiza dislokacijske strukture u SiC kristalu simulacijom praćenja zraka uz pomoć rendgenskog topološkog snimanja
Pozadina istraživanja Značaj primene silicijum karbida (SiC): Kao poluprovodnički materijal sa širokim razmakom, silicijum karbid je privukao veliku pažnju zbog svojih odličnih električnih svojstava (kao što su veći razmak, veća brzina zasićenja elektrona i toplotna provodljivost). Ovi rekviziti...Pročitajte više -
Proces pripreme sjemena kristala u rastu monokristala SiC 3
Provera rasta Začetni kristali silicijum karbida (SiC) pripremljeni su prateći opisani proces i validirani rastom kristala SiC. Korištena platforma za rast bila je samorazvijena SiC indukcijska peć za rast s temperaturom rasta od 2200℃, pritiskom rasta od 200 Pa i rastom...Pročitajte više