English

Uobičajeni električni grijaći element s dvostrukom spiralom od silicijum karbida Sic

Uobičajeni električni grijaći element s dvostrukom spiralom od silicijum karbida Sic
  • Uobičajeni električni grijaći element s dvostrukom spiralom od silicijum karbida Sic

Kratak opis:

Silicijum karbid je nova vrsta keramike sa visokim performansama i odličnim svojstvima materijala. Zbog karakteristika kao što su visoka čvrstoća i tvrdoća, otpornost na visoke temperature, velika toplotna provodljivost i otpornost na hemijsku koroziju, silicijum karbid može izdržati skoro sve hemijske medije. Stoga se SiC naširoko koristi u rudarstvu nafte, kemiji, strojevima i zračnom prostoru, čak i nuklearna energija i vojska imaju svoje posebne zahtjeve za SIC. Neke uobičajene primjene koje možemo ponuditi su brtveni prstenovi za pumpu, ventil i zaštitni oklop itd.


Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

Slijedimo načelo upravljanja „Kvalitet je superioran, usluga je vrhunska, reputacija je na prvom mjestu“, i iskreno ćemo stvarati i dijeliti uspjeh sa svim klijentima za obični diskontni električni dvostruki spiralni keramički silicijum karbid Sic grijaći element, Kupci na prvom mjestu! Šta god da vam je potrebno, trebamo učiniti sve da vam pomognemo. Srdačno pozdravljamo kupce iz cijelog svijeta da sarađuju s nama radi zajedničkog razvoja.
Slijedimo načelo upravljanja „Kvalitet je superioran, usluga je vrhunska, reputacija je na prvom mjestu“, te ćemo iskreno stvarati i dijeliti uspjeh sa svim klijentima zaKina Silicon Carbide Sic grijaći element i električni grijaći elementi, Ako imate bilo kakve zahtjeve, molimo pošaljite nam e-poštu sa svojim sveobuhvatnim zahtjevima, mi ćemo vam ponuditi najveću veleprodajnu konkurentnu cijenu sa super kvalitetom i nenadmašnom prvoklasnom uslugom! Možemo vam ponuditi najkonkurentnije cijene i visok kvalitet, jer smo bili mnogo više specijalista! Zato ne oklijevajte da nas kontaktirate.

Prednosti

Otpornost na oksidaciju na visokim temperaturama
Odlična otpornost na koroziju
Dobra otpornost na abraziju
Visok koeficijent provodljivosti toplote
Samopodmazivanje, male gustine
Visoka tvrdoća
Prilagođeni dizajn.

HGF (2)
HGF (1)

Prijave

-Polje otporno na habanje: čaura, ploča, mlaznica za pjeskarenje, ciklonska obloga, cijev za mljevenje, itd…
-Polje visoke temperature: siC ploča, cijev peći za gašenje, cijev za zračenje, lonac, grijaći element, valjak, greda, izmjenjivač topline, cijev za hladni zrak, mlaznica gorionika, zaštitna cijev termoelementa, SiC čamac, struktura peći, seter itd.
-Silicon Carbide Semiconductor: SiC čamac za pločice, sic stezna glava, sic lopatica, sic kaseta, sic difuzijska cijev, viljuška za pločice, usisna ploča, vodilica, itd.
- Polje zaptivki od silicijum karbida: sve vrste zaptivnih prstenova, ležajeva, čaura itd.
-Fotonaponsko polje: konzolna lopatica, cijev za mljevenje, valjak od silicijum karbida itd.
-Polje litijumske baterije

WAFER (1)

WAFER (2)

Fizička svojstva SiC-a

Nekretnina Vrijednost Metoda
Gustina 3,21 g/cc Umivaonik-plovka i dimenzija
Specifična toplota 0,66 J/g °K Pulsni laserski blic
Čvrstoća na savijanje 450 MPa560 MPa 4 tačke krivine, RT4 tačke krivine, 1300°
Čvrstoća loma 2,94 MPa m1/2 Mikroindentacija
Tvrdoća 2800 Vicker's, opterećenje 500g
Modul elastičnosti Youngov modul 450 GPa430 GPa 4 pt krivina, RT4 pt krivina, 1300 °C
Veličina zrna 2 – 10 µm SEM

Toplotna svojstva SiC-a

Toplotna provodljivost 250 W/m °K Metoda laserskog blica, RT
toplinska ekspanzija (CTE) 4,5 x 10-6 °K Sobna temperatura do 950 °C, silika dilatometar

Technical Parameters

Stavka Jedinica Podaci
RBSiC(SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
Sadržaj SiC % 85 75 99 99.9 ≥99
Besplatan sadržaj silicija % 15 0 0 0 0
Maksimalna temperatura rada ℃ 1380 1450 1650 1620 1400
Gustina g/cm3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2,65-2,75 2,75-2,85
Otvorena poroznost % 0 13-15 0 15-18 7-8
Čvrstoća na savijanje 20℃ Mpa 250 160 380 100 /
Čvrstoća na savijanje 1200℃ Mpa 280 180 400 120 /
Modul elastičnosti 20℃ Gpa 330 580 420 240 /
Modul elastičnosti 1200℃ Gpa 300 / / 200 /
Toplotna provodljivost 1200℃ W/mK 45 19.6 100-120 36.6 /
Koeficijent toplinske ekspanzije K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4.69 /
HV Kg/mm2 2115 / 2800 / /

CVD premaz od silicijum karbida na vanjskoj površini rekristaliziranih keramičkih proizvoda od silicijum karbida može postići čistoću veću od 99,9999% kako bi zadovoljio potrebe kupaca u industriji poluvodiča.

Slike

WAFER (3)

WAFER (4)

WAFER (5) WAFER (6)

Slijedimo načelo upravljanja „Kvalitet je superioran, usluga je vrhunska, reputacija je na prvom mjestu“, i iskreno ćemo stvarati i dijeliti uspjeh sa svim klijentima za obični diskontni električni dvostruki spiralni keramički silicijum karbid Sic grijaći element, Kupci na prvom mjestu! Šta god da vam je potrebno, trebamo učiniti sve da vam pomognemo. Srdačno pozdravljamo kupce iz cijelog svijeta da sarađuju s nama radi zajedničkog razvoja.
Obični popustKina Silicon Carbide Sic grijaći element i električni grijaći elementi, Ako imate bilo kakve zahtjeve, molimo pošaljite nam e-poštu sa svojim sveobuhvatnim zahtjevima, mi ćemo vam ponuditi najveću veleprodajnu konkurentnu cijenu sa super kvalitetom i nenadmašnom prvoklasnom uslugom! Možemo vam ponuditi najkonkurentnije cijene i visok kvalitet, jer smo bili mnogo više specijalista! Zato ne oklijevajte da nas kontaktirate.

  • Prethodno:
  • sljedeće:

    • POVEZANI PROIZVODI