CVD rasuti silicijum karbid (SiC)
Pregled:CVDsilicijum karbid (SiC)je vrlo tražen materijal u opremi za jetkanje plazmom, primjenama brze termičke obrade (RTP) i drugim procesima proizvodnje poluvodiča. Njegova izuzetna mehanička, hemijska i termička svojstva čine ga idealnim materijalom za primjenu napredne tehnologije koja zahtijeva visoku preciznost i izdržljivost.
Primjena CVD Bulk SiC:Bulk SiC je ključan u industriji poluprovodnika, posebno u sistemima za jetkanje plazmom, gdje komponente kao što su fokusni prstenovi, plinske tuš glave, rubni prstenovi i ploče imaju koristi od SiC-ove izvanredne otpornosti na koroziju i toplinske provodljivosti. Njegova upotreba se proteže naRTPsistema zbog sposobnosti SiC-a da izdrži brze temperaturne fluktuacije bez značajne degradacije.
Pored opreme za graviranje, CVDbulk SiCfavorizovan je u difuzionim pećima i procesima rasta kristala, gde je potrebna visoka termička stabilnost i otpornost na oštre hemijske sredine. Ovi atributi čine SiC materijalom izbora za aplikacije visoke potražnje koje uključuju visoke temperature i korozivne plinove, kao što su oni koji sadrže hlor i fluor.
Prednosti CVD Bulk SiC komponenti:
•Visoka gustina:Sa gustinom od 3,2 g/cm³,CVD rasuti SiCkomponente su vrlo otporne na habanje i mehaničke utjecaje.
•Superiorna toplotna provodljivost:Nudeći toplotnu provodljivost od 300 W/m·K, rasuti SiC efikasno upravlja toplotom, što ga čini idealnim za komponente izložene ekstremnim termičkim ciklusima.
•Izuzetna hemijska otpornost:Niska reaktivnost SiC-a s plinovima za jetkanje, uključujući hlor i hemikalije na bazi fluora, osigurava produženi vijek trajanja komponenti.
•Podesivi otpor: CVD bulk SiCotpornost se može prilagoditi u rasponu od 10⁻²–10⁴ Ω-cm, što ga čini prilagodljivim specifičnim potrebama jetkanja i proizvodnje poluvodiča.
•Koeficijent toplinske ekspanzije:Sa koeficijentom termičke ekspanzije od 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), CVD rasuti SiC otporan je na termalni udar, održavajući dimenzijsku stabilnost čak i tokom brzih ciklusa grijanja i hlađenja.
•Trajnost u plazmi:Izlaganje plazmi i reaktivnim gasovima je neizbežno u poluprovodničkim procesima, aliCVD rasuti SiCnudi vrhunsku otpornost na koroziju i degradaciju, smanjujući učestalost zamjene i ukupne troškove održavanja.
Tehničke specifikacije:
•prečnik:Veći od 305 mm
•Otpornost:Podesivo unutar 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Gustina:3,2 g/cm³
•Toplotna provodljivost:300 W/m·K
•Koeficijent toplinske ekspanzije:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Prilagodba i fleksibilnost:AtSemicera Semiconductor, razumijemo da svaka primjena poluvodiča može zahtijevati različite specifikacije. Zato su naše CVD komponente za rasuti SiC potpuno prilagodljive, s podesivom otpornošću i prilagođenim dimenzijama koje odgovaraju vašim potrebama opreme. Bilo da optimizujete svoje sisteme za jetkanje plazmom ili tražite izdržljive komponente u RTP ili difuzionim procesima, naš CVD bulk SiC pruža performanse bez premca.
