Opis
Naša kompanija pruža usluge obrade SiC premaza CVD metodom na površini grafita, keramike i drugih materijala, tako da specijalni gasovi koji sadrže ugljenik i silicijum reaguju na visokoj temperaturi da bi dobili molekule SiC visoke čistoće, molekule taložene na površini obloženih materijala, formirajući SIC zaštitni sloj.
Glavne karakteristike
1 .SiC presvučen grafit visoke čistoće
2. Vrhunska otpornost na toplinu i termička uniformnost
3. Fini SiC kristal obložen za glatku površinu
4. Visoka otpornost na hemijsko čišćenje
Glavne specifikacije CVD-SIC premaza
| Svojstva SiC-CVD | ||
| Crystal Structure | FCC β faza | |
| Gustina | g/cm ³ | 3.21 |
| Tvrdoća | Vickers tvrdoća | 2500 |
| Veličina zrna | μm | 2~10 |
| Chemical Purity | % | 99,99995 |
| Heat Capacity | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura sublimacije | ℃ | 2700 |
| Felexural Strength | MPa (RT 4 tačke) | 415 |
| Youngov modul | Gpa (4pt savijanje, 1300℃) | 430 |
| toplinska ekspanzija (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Toplotna provodljivost | (W/mK) | 300 |
