Grafitni susceptctor sa bačvom sa premazom od silicijum karbida

Grafitni susceptktor sa premazom od silicijum karbida. Istaknuta slika

Kratak opis:

Semicera nudi sveobuhvatan asortiman suceptora i grafitnih komponenti dizajniranih za različite epitaksijske reaktore.

Kroz strateško partnerstvo sa vodećim proizvođačima originalne opreme u industriji, opsežnu ekspertizu u vezi sa materijalima i napredne proizvodne mogućnosti, Semicera isporučuje dizajn po meri kako bi zadovoljio specifične zahteve vaše aplikacije. Naša posvećenost izvrsnosti osigurava da dobijete optimalna rješenja za potrebe vašeg epitaksijskog reaktora.

Pošaljite nam email

Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

Opis

Naša kompanija pruža usluge obrade SiC premaza CVD metodom na površini grafita, keramike i drugih materijala, tako da specijalni gasovi koji sadrže ugljenik i silicijum reaguju na visokoj temperaturi da bi dobili molekule SiC visoke čistoće, molekule taložene na površini obloženih materijala, formirajući SIC zaštitni sloj.

o (1)

o (2)

Glavne karakteristike

1 .SiC presvučen grafit visoke čistoće

2. Vrhunska otpornost na toplinu i termička uniformnost

3. Fini SiC kristal obložen za glatku površinu

4. Visoka otpornost na hemijsko čišćenje

Glavne specifikacije CVD-SIC premaza

Svojstva SiC-CVD
Crystal Structure	FCC β faza
Gustina	g/cm ³	3.21
Tvrdoća	Vickers tvrdoća	2500
Veličina zrna	μm	2~10
Chemical Purity	%	99,99995
Heat Capacity	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sublimacije	℃	2700
Felexural Strength	MPa (RT 4 tačke)	415
Youngov modul	Gpa (4pt savijanje, 1300℃)	430
toplinska ekspanzija (CTE)	10-6K-1	4.5
Toplotna provodljivost	(W/mK)	300