TaC obložen duboki UV LED MOCVD grafitni susceptor

Istaknuta slika sa dubokim UV LED MOCVD grafitnim susceptorom obloženim TaC

Kratak opis:

TaC obloženi duboki UV LED MOCVD grafitni susceptor kompanije Semicera dizajniran je za vrhunske performanse u MOCVD aplikacijama epitaksije. Proizveden u Kini, nudi povećanu izdržljivost i otpornost na višu temperaturu, što ga čini idealnim za zahtjevne uvjete. Semicerina napredna tehnologija premaza osigurava pouzdan i efikasan rad, podržavajući visokokvalitetnu proizvodnju Deep UV LED dioda.

Pošaljite nam email

Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

TaC coatedDuboka ultraljubičasta LED grafitna baza se odnosi na proces poboljšanja performansi i stabilnosti uređaja nanošenjemTaC premazna grafitnoj podlozi tokom pripreme dubokog ultraljubičastog LED uređaja. Ovaj premaz može poboljšati performanse odvođenja topline, otpornost na visoke temperature i otpornost uređaja na oksidaciju, čime se poboljšava efikasnost i pouzdanost LED uređaja. Duboki ultraljubičasti LED uređaji se obično koriste u nekim posebnim oblastima, kao što su dezinfekcija, polimerizacija i sl., koje imaju visoke zahtjeve za stabilnost i performanse uređaja. Primjena odTaC obložen grafitbaza može efikasno poboljšati izdržljivost i performanse uređaja, pružajući važnu podršku razvoju tehnologije dubokog ultraljubičastog LED-a.

Semicera obezbeđuje specijalizovane premaze od tantal karbida (TaC) za različite komponente i nosače.Semicera vodeći proces premazivanja omogućava premazima od tantal karbida (TaC) da postignu visoku čistoću, visoku temperaturnu stabilnost i visoku hemijsku toleranciju, poboljšavajući kvalitet proizvoda SIC/GAN kristala i EPI slojeva (TaC susceptor obložen grafitom) i produži život ključnih komponenti reaktora. Upotreba TaC premaza od tantal karbida je rješavanje problema ivica i poboljšanje kvalitete rasta kristala, a Semicera je proboj riješila tehnologiju premaza tantal karbida (CVD), dostigavši međunarodni napredni nivo.

Nakon godina razvoja, Semicera je osvojila tehnologijuCVD TaCzajedničkim naporima odjela za istraživanje i razvoj. Lako se javljaju defekti u procesu rasta SiC pločica, ali nakon upotrebeTaC, razlika je značajna. Ispod je poređenje vafla sa i bez TaC, kao i Simicerinih dijelova za rast monokristala.

Visokoefikasni premaz od tantal karbida_ poboljšava efikasnost industrijske proizvodnje i smanjuje troškove održavanja Istaknuta slika

Tac dio za rast monokristala

Prevlaka od tantal karbida protiv habanja_ Štiti opremu od habanja i korozije Istaknuta slika

Grafit sa TaC obloženim prstenom

sa i bez TaC

Nakon upotrebe TaC-a (desno)

Štaviše, SemiceraProizvodi obloženi TaC-ompokazuju duži vijek trajanja i veću otpornost na visoke temperature u odnosu naSiC premazi.Laboratorijska mjerenja su pokazala da našaTaC premazimože konzistentno raditi na temperaturama do 2300 stepeni Celzijusa tokom dužeg perioda. U nastavku su neki primjeri naših uzoraka: