China Wafer Manufacturers, Suppliers, Factory
Šta je poluprovodnička pločica?
Poluvodička pločica je tanak, okrugli komad poluvodičkog materijala koji služi kao temelj za proizvodnju integriranih kola (IC) i drugih elektroničkih uređaja. Vafer pruža ravnu i jednoliku površinu na kojoj su izgrađene različite elektronske komponente.
Proces proizvodnje vafla uključuje nekoliko koraka, uključujući uzgoj velikog monokristala željenog poluvodičkog materijala, rezanje kristala na tanke pločice pomoću dijamantske pile, a zatim poliranje i čišćenje pločica kako bi se uklonili bilo kakvi površinski defekti ili nečistoće. Rezultirajuće oblatne imaju vrlo ravnu i glatku površinu, što je ključno za kasnije procese proizvodnje.
Kada su pločice pripremljene, one prolaze kroz niz procesa proizvodnje poluvodiča, kao što su fotolitografija, jetkanje, taloženje i dopiranje, kako bi se stvorili zamršeni uzorci i slojevi potrebni za izgradnju elektronskih komponenti. Ovi procesi se ponavljaju više puta na jednoj pločici kako bi se stvorilo više integriranih kola ili drugih uređaja.
Nakon što je proces izrade završen, pojedinačni čipovi se odvajaju rezanjem vafla duž unaprijed definiranih linija. Odvojeni čipovi se zatim pakuju kako bi se zaštitili i obezbedili električne veze za integraciju u elektronske uređaje.
Različiti materijali na oblatni
Poluprovodničke pločice su prvenstveno napravljene od monokristalnog silicijuma zbog njegovog obilja, odličnih električnih svojstava i kompatibilnosti sa standardnim proizvodnim procesima poluvodiča. Međutim, ovisno o specifičnim primjenama i zahtjevima, za izradu napolitanki mogu se koristiti i drugi materijali. Evo nekoliko primjera:
Silicijum karbid (SiC) je poluprovodnički materijal sa širokim razmakom koji nudi superiorna fizička svojstva u poređenju sa tradicionalnim materijalima. Pomaže u smanjenju veličine i težine diskretnih uređaja, modula, pa čak i čitavih sistema, istovremeno poboljšavajući efikasnost.
Ključne karakteristike SiC-a:
- -Wide Bandgap:SiC-ov pojas je oko tri puta veći od silicijumskog, što mu omogućava rad na višim temperaturama, do 400°C.
- - Visoko kritično polje kvara:SiC može izdržati do deset puta veće električno polje od silicijumskog, što ga čini idealnim za visokonaponske uređaje.
- - Visoka toplotna provodljivost:SiC efikasno odvodi toplotu, pomažući uređajima da održe optimalne radne temperature i produžavaju njihov životni vek.
- -Brzina drifta elektrona visoke zasićenosti:Sa dvostrukom brzinom drifta od silicijuma, SiC omogućava veće frekvencije prebacivanja, pomažući u minijaturizaciji uređaja.
Prijave:
-
-Energetska elektronika:SiC energetski uređaji se ističu u visokonaponskim, visokostrujnim, visokotemperaturnim i visokofrekventnim okruženjima, značajno povećavajući efikasnost konverzije energije. Široko se koriste u električnim vozilima, stanicama za punjenje, fotonaponskim sistemima, željezničkom transportu i pametnim mrežama.
-
-Mikrotalasne komunikacije:GaN RF uređaji bazirani na SiC ključni su za infrastrukturu bežične komunikacije, posebno za 5G bazne stanice. Ovi uređaji kombinuju odličnu toplotnu provodljivost SiC-a sa GaN-ovim visokofrekventnim RF izlazom velike snage, što ih čini poželjnim izborom za sljedeću generaciju visokofrekventnih telekomunikacijskih mreža.
Galijev nitrid (GaN)je poluvodički materijal treće generacije sa širokim razmakom pojasa sa velikim razmakom, visokom toplotnom provodljivošću, velikom brzinom drifta zasićenja elektrona i odličnim karakteristikama polja proboja. GaN uređaji imaju široku perspektivu primjene u područjima visoke frekvencije, velike brzine i velike snage kao što su LED rasvjeta koja štedi energiju, ekrani za laserske projekcije, električna vozila, pametne mreže i 5G komunikacije.
Galijev arsenid (GaAs)je poluvodički materijal poznat po svojoj visokoj frekvenciji, velikoj pokretljivosti elektrona, velikoj izlaznoj snazi, maloj buci i dobroj linearnosti. Široko se koristi u optoelektronskoj i mikroelektronskoj industriji. U optoelektronici, GaAs supstrati se koriste za proizvodnju LED (diode koje emituju svjetlost), LD (laserske diode) i fotonaponskih uređaja. U mikroelektronici se koriste u proizvodnji MESFET-ova (metal-poluvodički tranzistori sa efektom polja), HEMT-a (tranzistori velike pokretljivosti elektrona), HBT-ovi (bipolarni tranzistori s heterojunkcijom), IC (integrirana kola), mikrovalne diode i uređaji s Hallovim efektom.
Indijum fosfid (InP)je jedan od važnih složenih poluprovodnika III-V, poznat po svojoj visokoj pokretljivosti elektrona, odličnoj otpornosti na zračenje i širokom pojasu. Široko se koristi u optoelektronskoj i mikroelektronskoj industriji.
