Naša kompanija pružaSiC premazprocesne usluge na površini grafita, keramike i drugih materijala CVD metodom, tako da specijalni plinovi koji sadrže ugljik i silicij mogu reagirati na visokoj temperaturi kako bi dobili Sic molekule visoke čistoće, koji se mogu nanijeti na površinu obloženih materijala i formiratiSiC zaštitni slojza epitaksiju bačvasti tip hypnotic.
Glavne karakteristike:
1 .SiC presvučen grafit visoke čistoće
2. Vrhunska otpornost na toplinu i termička uniformnost
3. DobroSiC kristalno obloženza glatku površinu
4. Visoka otpornost na hemijsko čišćenje
![Cijev epitaksijalnog reaktora obložena silicijum karbidom SiC](http://cdn.globalso.com/semi-cera/SiC-Coated-Barrel-9.png)
Glavne specifikacijeCVD-SIC premaz
SiC-CVD svojstva | ||
Crystal Structure | FCC β faza | |
Gustina | g/cm ³ | 3.21 |
Tvrdoća | Vickers tvrdoća | 2500 |
Velicina zrna | μm | 2~10 |
Chemical Purity | % | 99,99995 |
Heat Capacity | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Temperatura sublimacije | ℃ | 2700 |
Felexural Strength | MPa (RT 4 tačke) | 415 |
Youngov modul | Gpa (4pt savijanje, 1300℃) | 430 |
toplinska ekspanzija (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Toplotna provodljivost | (W/mK) | 300 |
![2--cvd-sic-purity---99-99995-_60366](http://cdn.globalso.com/semi-cera/2-cvd-sic-purity-99-99995-_60366.jpg)
![5----sic-crystal_242127](http://cdn.globalso.com/semi-cera/5-sic-crystal_242127.jpg)
![Semicera Radno mjesto](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-Work-place2.jpg)
![](/wp-content/plugins/bb-plugin/img/pixel.png)
![](/wp-content/plugins/bb-plugin/img/pixel.png)
![Radno mjesto Semicera 2](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-work-place-22.jpg)
![Oprema mašina](http://www.semi-cera.com/uploads/Equipment-machine2.jpg)
![CNN obrada, hemijsko čišćenje, CVD premazivanje](http://www.semi-cera.com/uploads/CNN-processing-chemical-cleaning-CVD-coating2.jpg)
![Naša usluga](http://www.semi-cera.com/uploads/Our-service3.jpg)