U današnjem polju elektronske tehnologije, poluprovodnički materijali igraju ključnu ulogu.Među njima, silicijum karbid (SiC) kao poluprovodnički materijal sa širokim pojasom, sa svojim odličnim prednostima performansi, kao što su visoko električno polje, velika brzina zasićenja, visoka toplotna provodljivost, itd., postepeno postaje fokus istraživača i inženjera.Epitaksijalni disk od silicijum karbida, kao njegov važan deo, pokazao je veliki potencijal primene.
一、epitaksijalni disk performanse: pune prednosti
1. Ultra-visoko električno polje proboja: u poređenju sa tradicionalnim silicijumskim materijalima, električno polje silicijum karbida je više od 10 puta.To znači da pod istim uvjetima napona, elektronički uređaji koji koriste epitaksijalne diskove od silicijum karbida mogu izdržati veće struje, stvarajući na taj način visokonaponske, visokofrekventne elektronske uređaje velike snage.
2. Brzina zasićenja velike brzine: brzina zasićenja silicijum karbida je više od 2 puta veća od brzine silicijuma.Radeći na visokim temperaturama i velikom brzinom, epitaksijalni disk od silicijum karbida radi bolje, što značajno poboljšava stabilnost i pouzdanost elektronskih uređaja.
3. Visoka efikasnost toplotne provodljivosti: toplotna provodljivost silicijum karbida je više od 3 puta veća od silicijumske.Ova karakteristika omogućava elektronskim uređajima da bolje odvode toplotu tokom kontinuiranog rada velike snage, čime se sprečava pregrevanje i poboljšava bezbednost uređaja.
4. Odlična hemijska stabilnost: u ekstremnim okruženjima kao što su visoka temperatura, visoki pritisak i jako zračenje, performanse silicijum karbida su i dalje stabilne kao i ranije.Ova karakteristika omogućava epitaksijalnom disku od silicijum karbida da održi odlične performanse u složenim okruženjima.
二、proces proizvodnje: pažljivo rezbareno
Glavni procesi za proizvodnju SIC epitaksijalnog diska uključuju fizičko taloženje parom (PVD), hemijsko taloženje parom (CVD) i epitaksijalni rast.Svaki od ovih procesa ima svoje karakteristike i zahtijeva preciznu kontrolu različitih parametara za postizanje najboljih rezultata.
1. PVD proces: isparavanjem ili raspršivanjem i drugim metodama, SiC meta se nanosi na podlogu kako bi se formirao film.Film pripremljen ovom metodom ima visoku čistoću i dobru kristalnost, ali je brzina proizvodnje relativno mala.
2. CVD proces: pucanjem izvornog gasa silicijum karbida na visokoj temperaturi, on se taloži na podlogu kako bi se formirao tanak film.Debljina i ujednačenost filma pripremljenog ovom metodom mogu se kontrolisati, ali su čistoća i kristalnost loši.
3. Epitaksijalni rast: rast epitaksijalnog sloja SiC na monokristalnom silicijumu ili drugim monokristalnim materijalima metodom hemijskog taloženja iz pare.Epitaksijalni sloj pripremljen ovom metodom ima dobro poklapanje i odlične performanse sa materijalom podloge, ali je cena relativno visoka.
三、Perspektiva primjene: Osvijetli budućnost
Uz kontinuirani razvoj tehnologije energetske elektronike i rastuću potražnju za elektronskim uređajima visokih performansi i visoke pouzdanosti, epitaksijalni disk od silicijum karbida ima široku perspektivu primjene u proizvodnji poluvodičkih uređaja.Široko se koristi u proizvodnji visokofrekventnih poluprovodničkih uređaja velike snage, kao što su energetski elektronski prekidači, invertori, ispravljači, itd. Osim toga, također se široko koristi u solarnim ćelijama, LED diodama i drugim poljima.
Sa svojim jedinstvenim prednostima performansi i stalnim poboljšanjem proizvodnog procesa, epitaksijalni disk od silicijum karbida postepeno pokazuje svoj veliki potencijal u oblasti poluprovodnika.Imamo razloga vjerovati da će u budućnosti nauke i tehnologije igrati važniju ulogu.
Vrijeme objave: 28.11.2023