Epitaksijalni disk obložen poluvodičkim SiC monokristalnim silicijumom

Poluvodički SiC obložen monokristalni silicijum epitaksijalni disk Istaknuta slika

Kratki opis:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. je vodeći dobavljač specijaliziran za vafle i napredne poluvodičke potrošne materijale.Posvećeni smo pružanju visokokvalitetnih, pouzdanih i inovativnih proizvoda za proizvodnju poluprovodnika,fotonaponska industrijai druge srodne oblasti.

Naša linija proizvoda uključuje SiC/TaC obložene grafitne proizvode i keramičke proizvode, koji obuhvataju različite materijale kao što su silicijum karbid, silicijum nitrid, aluminijum oksid itd.

Kao dobavljač od povjerenja, razumijemo važnost potrošnog materijala u proizvodnom procesu i posvećeni smo isporuci proizvoda koji zadovoljavaju najviše standarde kvaliteta kako bismo zadovoljili potrebe naših kupaca.

Pošaljite nam email

Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

Opis

Naša kompanija pružaSiC premazprocesne usluge CVD metodom na površini grafita, keramike i drugih materijala, tako da specijalni gasovi koji sadrže ugljik i silicijum reaguju na visokoj temperaturi da bi dobili molekule SiC visoke čistoće, molekule taložene na površini obloženih materijala, formirajućiSIC zaštitni sloj.

Monokristalni silicijum epitaksijalni lim

Glavne karakteristike

1. Otpornost na oksidaciju na visokim temperaturama:
otpornost na oksidaciju je i dalje vrlo dobra kada je temperatura čak 1600 C.
2. Visoka čistoća: napravljeno hemijskim taloženjem pare pod uslovima hlorisanja na visokoj temperaturi.
3. Otpornost na eroziju: visoka tvrdoća, kompaktna površina, fine čestice.
4. Otpornost na koroziju: kiseline, alkalije, soli i organski reagensi.

Glavne specifikacije CVD-SIC premaza

SiC-CVD svojstva
Crystal Structure	FCC β faza
Gustina	g/cm ³	3.21
Tvrdoća	Vickers tvrdoća	2500
Velicina zrna	μm	2~10
Chemical Purity	%	99,99995
Heat Capacity	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sublimacije	℃	2700
Felexural Strength	MPa (RT 4 tačke)	415
Youngov modul	Gpa (4pt savijanje, 1300℃)	430
toplinska ekspanzija (CTE)	10-6K-1	4.5
Toplotna provodljivost	(W/mK)	300