Podloge od silicijum karbida|SiC pločice

Kratak opis:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. je vodeći dobavljač specijaliziran za vafle i napredne poluvodičke potrošne materijale. Posvećeni smo pružanju visokokvalitetnih, pouzdanih i inovativnih proizvoda za proizvodnju poluvodiča, fotonaponsku industriju i druga srodna polja.

Naša linija proizvoda uključuje SiC/TaC obložene grafitne proizvode i keramičke proizvode, koji obuhvataju različite materijale kao što su silicijum karbid, silicijum nitrid, aluminijum oksid itd.

Trenutno smo jedini proizvođač koji obezbeđuje čistoću od 99,9999% SiC premaza i 99,9% rekristalizovanog silicijum karbida. Maksimalna dužina SiC premaza koju možemo napraviti 2640mm.

 

Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

SiC-Wafer

Monokristalni materijal od silicijum karbida (SiC) ima veliku širinu pojasa (~Si 3 puta), visoku toplotnu provodljivost (~Si 3,3 puta ili GaAs 10 puta), visoku stopu migracije zasićenja elektronima (~Si 2,5 puta), visok električni proboj. polje (~Si 10 puta ili GaAs 5 puta) i druge izvanredne karakteristike.

SiC uređaji imaju nezamjenjive prednosti u području visokih temperatura, visokog tlaka, visoke frekvencije, elektronskih uređaja velike snage i ekstremnih primjena u okolišu kao što su svemirska, vojna, nuklearna energija, itd., nadoknađuju nedostatke tradicionalnih uređaja od poluvodičkih materijala u praksi. aplikacijama, i postepeno postaju glavna struja energetskih poluvodiča.

4H-SiC Specifikacije supstrata od silicijum karbida

Item项目

Specifikacije参数

Polytype
晶型

4H -SiC

6H- SiC

Prečnik
晶圆直径

2 inča | 3 inča | 4 inča | 6inch

2 inča | 3 inča | 4 inča | 6inch

Debljina
厚度

330 μm ~ 350 μm

330 μm ~ 350 μm

Provodljivost
导电类型

N – tip / Poluizolacioni
N型导电片/ 半绝缘片

N – tip / Poluizolacioni
N型导电片/ 半绝缘片

Dopant
掺杂剂

N2 (Azot)V (Vanadijum)

N2 ( dušik ) V ( vanadij )

Orijentacija
晶向

Na osi <0001>
Van ose <0001> isključeno 4°

Na osi <0001>
Van ose <0001> isključeno 4°

Otpornost
电阻率

0,015 ~ 0,03 ohm-cm
(4H-N)

0,02 ~ 0,1 ohm-cm
(6H-N)

Gustoća mikropipe (MPD)
微管密度

≤10/cm2 ~ ≤1/cm2

≤10/cm2 ~ ≤1/cm2

TTV
总厚度变化

≤ 15 μm

≤ 15 μm

Luk / Warp
翘曲度

≤25 μm

≤25 μm

Površina
表面处理

DSP/SSP

DSP/SSP

Ocjena
产品等级

Proizvodna / istraživačka klasa

Proizvodna / istraživačka klasa

Slijed slaganja kristala
堆积方式

ABCB

ABCABC

Parametar rešetke
晶格参数

a=3,076A, c=10,053A

a=3,073A, c=15,117A

Npr./eV (pojasni razmak)
禁带宽度

3,27 eV

3,02 eV

ε (dielektrična konstanta)
介电常数

9.6

9.66

Indeks refrakcije
折射率

n0 =2,719 ne =2,777

n0 =2,707 , ne =2,755

Specifikacije podloge od 6H-SiC silicijum karbida

Item项目

Specifikacije参数

Polytype
晶型

6H-SiC

Prečnik
晶圆直径

4 inča | 6inch

Debljina
厚度

350μm ~ 450μm

Provodljivost
导电类型

N – tip / Poluizolacioni
N型导电片/ 半绝缘片

Dopant
掺杂剂

N2 (Azot)
V (vanadij)

Orijentacija
晶向

<0001> isključeno 4°± 0,5°

Otpornost
电阻率

0,02 ~ 0,1 ohm-cm
(6H-N tip)

Gustoća mikropipe (MPD)
微管密度

≤ 10/cm2

TTV
总厚度变化

≤ 15 μm

Luk / Warp
翘曲度

≤25 μm

Površina
表面处理

Si Face: CMP, Epi-Ready
C lice: optički lak

Ocjena
产品等级

Istraživačka ocjena

Semicera Radno mjesto Radno mesto Semicera 2 Oprema mašina CNN obrada, hemijsko čišćenje, CVD premazivanje Naša usluga


  • Prethodno:
  • sljedeće: