GaN epitaksija na bazi silicijuma

Kratak opis:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. je vodeći dobavljač napredne poluvodičke keramike i jedini proizvođač u Kini koji istovremeno može pružiti silicijum karbidnu keramiku visoke čistoće (posebnoRekristalizirano SiC) i CVD SiC premaz. Pored toga, naša kompanija je takođe posvećena keramičkim poljima kao što su glinica, aluminijum nitrid, cirkonijum i silicijum nitrid, itd.

 

Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

Opis proizvoda

Naša kompanija pružaSiC premazprocesne usluge CVD metodom na površini grafita, keramike i drugih materijala, tako da specijalni gasovi koji sadrže ugljik i silicijum reaguju na visokoj temperaturi da bi dobili molekule SiC visoke čistoće, molekule taložene na površini obloženih materijala, formirajućiSIC zaštitni sloj.

Glavne karakteristike:

1. Otpornost na oksidaciju na visokim temperaturama:

otpornost na oksidaciju je i dalje vrlo dobra kada je temperatura čak 1600 C.

2. Visoka čistoća: napravljeno hemijskim taloženjem pare pod uslovima hlorisanja na visokoj temperaturi.

3. Otpornost na eroziju: visoka tvrdoća, kompaktna površina, fine čestice.

4. Otpornost na koroziju: kiseline, alkalije, soli i organski reagensi.

 

Glavne specifikacije CVD-SIC premaza

Svojstva SiC-CVD

Crystal Structure

FCC β faza

Gustina

g/cm ³

3.21

Tvrdoća

Vickers tvrdoća

2500

Veličina zrna

μm

2~10

Chemical Purity

%

99,99995

Heat Capacity

J·kg-1 ·K-1

640

Temperatura sublimacije

2700

Felexural Strength

MPa (RT 4 tačke)

415

Youngov modul

Gpa (4pt savijanje, 1300℃)

430

toplinska ekspanzija (CTE)

10-6K-1

4.5

Toplotna provodljivost

(W/mK)

300

未标题-1
17
211
Semicera Radno mjesto
Radno mesto Semicera 2
Oprema mašina
CNN obrada, hemijsko čišćenje, CVD premaz
Naša usluga

  • Prethodno:
  • sljedeće: