GaN epitaksija na bazi silicijuma

opis proizvoda

Naša kompanija pružaSiC premazprocesne usluge CVD metodom na površini grafita, keramike i drugih materijala, tako da specijalni gasovi koji sadrže ugljik i silicijum reaguju na visokoj temperaturi da bi dobili molekule SiC visoke čistoće, molekule taložene na površini obloženih materijala, formirajućiSIC zaštitni sloj.

Glavne karakteristike:

1. Otpornost na oksidaciju na visokim temperaturama:

otpornost na oksidaciju je i dalje vrlo dobra kada je temperatura čak 1600 C.

2. Visoka čistoća: napravljena hemijskim taloženjem pare pod uslovima hlorisanja na visokoj temperaturi.

3. Otpornost na eroziju: visoka tvrdoća, kompaktna površina, fine čestice.

4. Otpornost na koroziju: kiseline, alkalije, soli i organski reagensi.